TK58E06N1,S1X

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 60V N-Ch PWR FET 105A 110W 46nC
Основные
вес, г6
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
440
+
Бонус: 8.8 !
Бонусная программа
Итого: 440
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 60V N-Ch PWR FET 105A 110W 46nC
Основные
вес, г6
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки50
тип продуктаMOSFET
торговая маркаToshiba
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
серияTK58E06N1
длина10.16 mm
коммерческое обозначениеU-MOSVIII-H
pd - рассеивание мощности110 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки105 A
qg - заряд затвора46 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток5.4 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток60 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
канальный режимEnhancement
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
Высота 15.1 мм
Ширина4.45 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль