Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор DTMOSIV 600V 65mOhm 38.8A 270W 4100pF

Подробное описание

Основные
вес, г	38
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C

3 120 ₽

– +

Бонус: 62.4 !

Бонусная программа

Итого: 3 120 ₽

Купить

Основные
вес, г	38
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	30
тип продукта	MOSFET
торговая марка	Toshiba
упаковка / блок	TO-247-3
серия	TK39N60W
длина	15.94 mm
время нарастания	50 ns
время спада	9 ns
коммерческое обозначение	DTMOSIV
pd - рассеивание мощности	270 W
количество каналов	1 Channel
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Single
id - непрерывный ток утечки	38.8 A
qg - заряд затвора	110 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	55 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	600 V
vgs - напряжение затвор-исток	30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3.7 V
полярность транзистора	N-Channel
тип транзистора	1 N-Channel
типичное время задержки выключения	200 ns
типичное время задержки при включении	80 ns
Высота	20.95 мм
Ширина	5.02 мм

Отзывов нет

Кнопки