Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор МОП-транзистор NCh 10ohm VGS10V10uAVDS80V

Подробное описание

Основные
вес, г	6
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C

320 ₽

– +

Бонус: 6.4 !

Бонусная программа

Итого: 320 ₽

Купить

Основные
вес, г	6
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	50
тип продукта	MOSFET
торговая марка	Toshiba
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-220-3
серия	TK35A08N1
длина	10 mm
коммерческое обозначение	U-MOSVIII-H
pd - рассеивание мощности	30 W
количество каналов	1 Channel
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Single
id - непрерывный ток утечки	35 A
qg - заряд затвора	25 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	10 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	80 V
vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	4 V
канальный режим	Enhancement
полярность транзистора	N-Channel
тип транзистора	1 N-Channel
Высота	15 мм
Ширина	4.5 мм

Отзывов нет

Кнопки

Быстрый просмотр

Быстрый просмотр

TK35A08N1,S4X