Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор DTMOSIV-High Speed 600V 88m (VGS=10V)

Подробное описание

Основные
вес, г	6
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C

1 700 ₽

– +

Бонус: 34 !

Бонусная программа

Итого: 1 700 ₽

Купить

Основные
вес, г	6
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	50
тип продукта	MOSFET
торговая марка	Toshiba
упаковка / блок	TO-220-3
серия	TK31E60X
длина	10.16 mm
время нарастания	22 ns
время спада	6 ns
коммерческое обозначение	DTMOSIV
pd - рассеивание мощности	230 W
количество каналов	1 Channel
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Single
id - непрерывный ток утечки	7.7 A
qg - заряд затвора	65 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	73 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	600 V
vgs - напряжение затвор-исток	30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3.5 V
канальный режим	Enhancement
полярность транзистора	N-Channel
тип транзистора	1 N-Channel
типичное время задержки выключения	130 ns
типичное время задержки при включении	55 ns
Высота	15.1 мм
Ширина	4.45 мм

Отзывов нет

Кнопки