Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор N-Ch MOS 2A 600V 60W 280pF 4.3 Ohm

Подробное описание

Основные
вес, г	4
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C

290 ₽

– +

Бонус: 5.8 !

Бонусная программа

Итого: 290 ₽

Купить

Основные
вес, г	4
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	200
тип продукта	MOSFET
торговая марка	Toshiba
упаковка	Reel, Cut Tape
упаковка / блок	PW-Mold2-3
серия	TK2Q60D
длина	6.5 mm
время нарастания	15 ns
время спада	7 ns
pd - рассеивание мощности	60 W
количество каналов	1 Channel
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Single
id - непрерывный ток утечки	2 A
qg - заряд затвора	7 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	4.3 Ohms
vds - напряжение пробоя сток-исток	600 V
vgs - напряжение затвор-исток	30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2.4 V
канальный режим	Enhancement
полярность транзистора	N-Channel
тип транзистора	1 N-Channel
типичное время задержки выключения	55 ns
типичное время задержки при включении	35 ns
Высота	7 мм
Ширина	2.3 мм

Отзывов нет

Кнопки