STY60NK30Z

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторыкорпус: MAX247, инфо: Транзистор полевой N-канальный 300В 60А 450ВтМОП-транзистор N-Ch 300 Volt 60 Amp Zener SuperMESH3
Основные
вес, г7.17
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
3 400
+
Бонус: 68 !
Бонусная программа
Итого: 3 400
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторыкорпус: MAX247, инфо: Транзистор полевой N-канальный 300В 60А 450ВтМОП-транзистор N-Ch 300 Volt 60 Amp Zener SuperMESH3
Основные
вес, г7.17
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-247-3
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки600
тип продуктаMOSFET
торговая маркаSTMicroelectronics
упаковкаTube
упаковка / блокMax247-3
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
серияSTY60NK30Z
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageMAX247в„ў
длина15.9 mm
время нарастания90 ns
время спада60 ns
коммерческое обозначениеSuperMESH
seriesSuperMESHв„ў ->
pd - рассеивание мощности450 W
количество каналов1 Channel
base product numberSTY60 ->
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
technologyMOSFET (Metal Oxide)
other related documentshttp://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
id - непрерывный ток утечки60 A
rds вкл - сопротивление сток-исток45 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток300 V
vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
канальный режимEnhancement
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения150 ns
типичное время задержки при включении50 ns
current - continuous drain (id) @ 25в°c60A (Tc)
drain to source voltage (vdss)300V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs220nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds7200pF @ 25V
power dissipation (max)450W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs45mOhm @ 30A, 10V
vgs (max)В±30V
vgs(th) (max) @ id4.5V @ 100ВµA
Высота 20.3 мм
Ширина5.3 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль