STW9NK95Z, Транзистор: N-MOSFET

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: STW9NK95Z
МОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE
Основные
вес, г3
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
640
+
Бонус: 12.8 !
Бонусная программа
Итого: 640
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE
Основные
вес, г3
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-247-3
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки600
тип продуктаMOSFET
торговая маркаSTMicroelectronics
упаковкаTube
упаковка / блокTO-247-3
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
серияSTW9NK95Z
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageTO-247
коммерческое обозначениеSuperMESH
seriesSuperMESHв„ў ->
pd - рассеивание мощности160 W
количество каналов1 Channel
base product numberSTW9 ->
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
technologyMOSFET (Metal Oxide)
id - непрерывный ток утечки7 A
qg - заряд затвора56 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток1.38 Ohms
vds - напряжение пробоя сток-исток950 V
vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V
канальный режимEnhancement
полярность транзистораN-Channel
current - continuous drain (id) @ 25в°c7A (Tc)
drain to source voltage (vdss)950V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs56nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds2256pF @ 25V
power dissipation (max)160W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs1.38Ohm @ 3.6A, 10V
vgs (max)В±30V
vgs(th) (max) @ id4.5V @ 100ВµA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль