Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE

Подробное описание

Основные
вес, г	38
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C

3 360 ₽

– +

Бонус: 67.2 !

Бонусная программа

Итого: 3 360 ₽

Купить

Основные
вес, г	38
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	600
тип продукта	MOSFET
торговая марка	STMicroelectronics
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-247-3
серия	STW56N65DM2
время нарастания	31 ns
время спада	7.7 ns
коммерческое обозначение	MDmesh
pd - рассеивание мощности	360 W
количество каналов	1 Channel
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Single
id - непрерывный ток утечки	48 A
qg - заряд затвора	88 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	58 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	650 V
vgs - напряжение затвор-исток	25 V, + 25 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3 V
канальный режим	Enhancement
полярность транзистора	N-Channel
тип транзистора	1 N-Channel
типичное время задержки выключения	157 ns
типичное время задержки при включении	28 ns

Отзывов нет

Кнопки