STW42N60M2-EP

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE
Основные
вес, г38
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
2 450
+
Бонус: 49 !
Бонусная программа
Итого: 2 450
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE
Основные
вес, г38
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки600
тип продуктаMOSFET
торговая маркаSTMicroelectronics
упаковкаTube
упаковка / блокTO-247-3
серияSTW42N60M2-EP
время нарастания9.5 ns
время спада8 ns
линейка продукцииMDmesh M2
коммерческое обозначениеMDmesh
количество выводов3вывод(-ов)
pd - рассеивание мощности250 W
количество каналов1 Channel
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
channel typeN Channel
рассеиваемая мощность250Вт
power dissipation250Вт
напряжение истока-стока vds600В
id - непрерывный ток утечки34 A
qg - заряд затвора55 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток87 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
vgs - напряжение затвор-исток25 V, + 25 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
канальный режимEnhancement
полярность транзистораN-Channel
типичное время задержки выключения96.5 ns
типичное время задержки при включении16.5 ns
стиль корпуса транзистораTO-247
непрерывный ток стока34А
сопротивление во включенном состоянии rds(on)0.076Ом
напряжение измерения rds(on)10В
пороговое напряжение vgs
монтаж транзистораThrough Hole
drain source on state resistance0.076Ом
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль