STU10NM60N

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleN-канал 600 В 10 A (Tc) 70 Вт (Tc) сквозное отверстие I-PAK
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
1 030
+
Бонус: 20.6 !
Бонусная программа
Итого: 1 030
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleN-канал 600 В 10 A (Tc) 70 Вт (Tc) сквозное отверстие I-PAK
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки3000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаSTMicroelectronics
упаковкаTube
упаковка / блокTO-251-3
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
серияSTU10NM60N
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageI-PAK
коммерческое обозначениеMDmesh
seriesMDmeshв„ў II ->
количество каналов1 Channel
base product numberSTU10 ->
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
technologyMOSFET (Metal Oxide)
other related documentshttp://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
id - непрерывный ток утечки8 A
rds вкл - сопротивление сток-исток530 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
current - continuous drain (id) @ 25в°c10A (Tc)
drain to source voltage (vdss)600V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs19nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds540pF @ 50V
power dissipation (max)70W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs550mOhm @ 4A, 10V
vgs (max)В±25V
vgs(th) (max) @ id4V @ 250ВµA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль