Основные | |
moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
mounting type | Through Hole |
operating temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
package | Tube |
package / case | TO-220-3 Full Pack |
rohs status | ROHS3 Compliant |
вид монтажа | Through Hole |
категория продукта | МОП-транзистор |
максимальная рабочая температура | + 150 C |
минимальная рабочая температура | 55 C |
подкатегория | MOSFETs |
размер фабричной упаковки | 1000 |
тип продукта | MOSFET |
торговая марка | STMicroelectronics |
упаковка | Tube |
упаковка / блок | TO-220-3 |
eccn | EAR99 |
htsus | 8541.29.0095 |
серия | STP9NK50ZFP |
reach status | REACH Unaffected |
supplier device package | TO-220FP |
длина | 10.4 mm |
время нарастания | 20 ns |
время спада | 22 ns |
коммерческое обозначение | SuperMESH |
pin count | 3 |
packaging | Tube |
product category | Power MOSFET |
series | SuperMESHв„ў -> |
pd - рассеивание мощности | 30 W |
количество каналов | 1 Channel |
automotive | No |
eu rohs | Compliant with Exemption |
lead shape | Through Hole |
maximum operating temperature (°c) | 150 |
mounting | Through Hole |
part status | Active |
pcb changed | 3 |
standard package name | TO-220 |
supplier package | TO-220FP |
средства разработки | STEVAL-ISC002V1 |
base product number | STP9NK50 -> |
eccn (us) | EAR99 |
maximum power dissipation (mw) | 30000 |
minimum operating temperature (°c) | -55 |
configuration | Single |
hts | 8541.29.00.95 |
package height | 16.4(Max) |
package length | 10.4(Max) |
package width | 4.6(Max) |
process technology | SuperMESH |
Вес и габариты | |
технология | Si |
number of elements per chip | 1 |
конфигурация | Single |
channel type | N |
technology | MOSFET (Metal Oxide) |
tab | Tab |
id - непрерывный ток утечки | 7.2 A |
qg - заряд затвора | 32 nC |
rds вкл - сопротивление сток-исток | 850 mOhms |
vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
канальный режим | Enhancement |
крутизна характеристики прямой передачи - мин. | 5.3 S |
полярность транзистора | N-Channel |
тип транзистора | 1 N-Channel MOSFET |
типичное время задержки выключения | 45 ns |
типичное время задержки при включении | 17 ns |
channel mode | Enhancement |
maximum continuous drain current (a) | 7.2 |
maximum drain source resistance (mohm) | 850@10V |
maximum drain source voltage (v) | 500 |
maximum gate source voltage (v) | ±30 |
typical fall time (ns) | 22 |
typical gate charge @ 10v (nc) | 32 |
typical gate charge @ vgs (nc) | 32@10V |
typical input capacitance @ vds (pf) | 910@25V |
typical rise time (ns) | 20 |
typical turn-off delay time (ns) | 45 |
typical turn-on delay time (ns) | 17 |
current - continuous drain (id) @ 25в°c | 7.2A (Tc) |
drain to source voltage (vdss) | 500V |
drive voltage (max rds on, min rds on) | 10V |
fet type | N-Channel |
gate charge (qg) (max) @ vgs | 32nC @ 10V |
input capacitance (ciss) (max) @ vds | 910pF @ 25V |
power dissipation (max) | 30W (Tc) |
rds on (max) @ id, vgs | 850mOhm @ 3.6A, 10V |
vgs (max) | В±30V |
vgs(th) (max) @ id | 4.5V @ 100ВµA |
military | No |
Высота | 9.3 мм |
Ширина | 4.6 мм |