STP9N80K5

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Все продукты\Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE
Основные
вес, г1.8
вид монтажа:Through Hole
категория продукта:МОП-транзистор
максимальная рабочая температура:+ 150 C
890
+
Бонус: 17.8 !
Бонусная программа
Итого: 890
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Все продукты\Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE
Основные
вес, г1.8
вид монтажа:Through Hole
категория продукта:МОП-транзистор
максимальная рабочая температура:+ 150 C
минимальная рабочая температура:- 55 C
подкатегория:MOSFETs
производитель:stmicroelectronics
серия:STP9N80K5
тип продукта:MOSFET
торговая марка:stmicroelectronics
размер фабричной упаковки:1000
упаковка:Tube
упаковка / блок:TO-220-3
время нарастания:5.7 ns
время спада:13.6 ns
Вес и габариты
коммерческое обозначение:MDmesh
pd - рассеивание мощности:110 W
количество каналов:1 Channel
технология:Si
конфигурация:Single
id - непрерывный ток утечки:7 A
qg - заряд затвора:12 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток:900 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток:800 V
vgs - напряжение затвор-исток:- 30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток :3 V
канальный режим:Enhancement
полярность транзистора:N-Channel
тип транзистора:1 N-Channel
типичное время задержки выключения:65.3 ns
типичное время задержки при включении:11 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль