Все продукты\Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор LGS LV МОП-транзистор
Основные
вес, г
0.095
вид монтажа:
SMD/SMT
категория продукта:
МОП-транзистор
максимальная рабочая температура:
+ 175 C
минимальная рабочая температура:
- 55 C
подкатегория:
MOSFETs
продукт:
Power MOSFETs
производитель:
STMicroelectronics
серия:
STL58N3LLH5
тип продукта:
MOSFET
торговая марка:
STMicroelectronics
высота:
1 mm
длина:
6.6 mm
размер фабричной упаковки:
3000
тип:
STripFET H5
ширина:
5.4 mm
упаковка / блок:
PowerFLAT-5x6-8
время нарастания:
15.6 ns
время спада:
6 ns
Вес и габариты
коммерческое обозначение:
STripFET
pd - рассеивание мощности:
62.5 W
количество каналов:
1 Channel
квалификация:
AEC-Q101
технология:
Si
конфигурация:
Single
id - непрерывный ток утечки:
56 A
qg - заряд затвора:
6.5 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток:
9 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток:
30 V
vgs - напряжение затвор-исток:
- 20 V, + 22 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток :
2.5 V
канальный режим:
Enhancement
полярность транзистора:
N-Channel
тип транзистора:
1 N-Channel
типичное время задержки выключения:
14.2 ns
типичное время задержки при включении:
10.8 ns
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26