STP8NK80ZFP, Trans MOSFET N-CH 800V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: STP8NK80ZFP
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFETТранзисторы семейства SuperMesh (серия NK) отличаются малым сопротивлением сток-исток в открытом состоянии, поэтому меньше нагреваются и могут использоваться с малогабаритными радиаторами. Также транзисторы SuperMesh отличаются наличием встречных защитных стабилитронов между выводами затвора и истока, которые защищают переход от ESD разрядов и высокого напряжения переходных процессов. Применение таких интегрированных транзисторов устраняет...
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
190
+
Бонус: 3.8 !
Бонусная программа
Итого: 190
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFETТранзисторы семейства SuperMesh (серия NK) отличаются малым сопротивлением сток-исток в открытом состоянии, поэтому меньше нагреваются и могут использоваться с малогабаритными радиаторами. Также транзисторы SuperMesh отличаются наличием встречных защитных стабилитронов между выводами затвора и истока, которые защищают переход от ESD разрядов и высокого напряжения переходных процессов. Применение таких интегрированных транзисторов устраняет необходимость во внешних защитных компонентах. Кроме того, семейство SuperMesh имеет улучшенные показатели скорости нарастания напряжения dv/dt, поэтому могут использоваться для ответственных применений. Транзисторы применяются в различных источниках питания (бесперебойные источники питания, адаптеры, зарядные устройства), в электронных балластах ламп, а также для коррекции коэффициента мощности. Приборы выпускаются в стандартных корпусах ТО-220. Особенности транзисторов SuperMesh: - высокие показатели dv/dt - 100% тест
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-220-3 Full Pack
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки1000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаSTMicroelectronics
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220FP-3
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
серияSTP8NK80ZFP
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageTO-220FP
длина10.4 mm
время нарастания30 ns
время спада28 ns
коммерческое обозначениеSuperMESH
seriesSuperMESHв„ў ->
pd - рассеивание мощности30 W
количество каналов1 Channel
base product numberSTP8NK80 ->
Вес и габариты
особенностиSuperMesh
технологияSi
конфигурацияSingle
technologyMOSFET (Metal Oxide)
other related documentshttp://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
Структураn-канал
максимальное напряжение сток-исток uси,в800
максимальный ток сток-исток при 25 с iси макс..а8
максимальная рассеиваемая мощность pси макс..вт30
id - непрерывный ток утечки6.2 A
qg - заряд затвора46 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток1.5 Ohms
vds - напряжение пробоя сток-исток800 V
vgs - напряжение затвор-исток30 V
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.5.2 S
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения48 ns
типичное время задержки при включении17 ns
current - continuous drain (id) @ 25в°c6.2A (Tc)
drain to source voltage (vdss)800V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs46nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds1320pF @ 25V
power dissipation (max)30W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs1.5Ohm @ 3.1A, 10V
vgs (max)В±30V
vgs(th) (max) @ id4.5V @ 100ВµA
сопротивление канала в открытом состоянии rси вкл.,мом1500
температура, с-55...+150
Корпус
Высота 9.3 мм
ТипMOSFET
Ширина4.6 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль