FZT692BTA

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes FZT692BTA
DiodesZetex
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
Высота1.65мм
Высота 1.65 мм
Информация о производителе
ПроизводительDiodesZetex
260
+
Бонус: 5.2 !
Бонусная программа
Итого: 260
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - SingleБиполярный (BJT) транзистор NPN 70V 2A 150MHz 2W Surface Mount SOT-223
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
Высота1.65мм
Высота 1.65 мм
Информация о производителе
ПроизводительDiodesZetex
БрендDIODES INC.
Основные
automotiveNo
base product numberFZT692 ->
число контактов3 + Tab
configurationSingle Dual Collector
current - collector cutoff (max)100nA
current - collector (ic) (max)2A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce150 @ 1A, 2V
длина6.7мм
eccnEAR99
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant with Exemption
frequency - transition150MHz
hts8541.29.00.95
htsus8541.29.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.500
количество элементов на ис1
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)150 at 1 A, 2 V
конфигурацияSingle
lead shapeGull-wing
максимальная рабочая температура+150 °C
максимальное напряжение эмиттер-база5 В
максимальное напряжение коллектор-база70 В
максимальное напряжение к-э (коллектор-эмиттер)70 В
максимальное напряжение насыщения база-эмиттер0,9 В
максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер0,5 В
максимальный постоянный ток коллектора5 A
максимальный пост. ток коллектора2 A
maximum base emitter saturation voltage (v)0.9@10mA@1A
maximum collector base voltage70 V
maximum collector base voltage (v)70
maximum collector cut-off current (na)100
maximum collector-emitter saturation voltage (v)0.15@0.5mA@0.1A|0.5@10mA@1A|0.5@200mA@2A
maximum collector emitter voltage70 V
maximum collector-emitter voltage (v)70
maximum dc collector current2 A
maximum dc collector current (a)2
maximum emitter base voltage5 V
maximum emitter base voltage (v)7
maximum operating temperature+150 °C
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)3000
maximum transition frequency (mhz)150(Min)
militaryNo
минимальная рабочая температура-55 °C
минимальный коэффициент усиления по постоянному току150W
minimum dc current gain400@500mA@2V|150@1A@2V|500@100mA@2V
minimum operating temperature (°c)-55
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mountingSurface Mount
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)7 V
напряжение коллектор-база (vcbo)70 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.70 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер500 mV
непрерывный коллекторный ток2 A
number of elements per chip1
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
package / caseTO-261-4, TO-261AA
package height01.06.2024
package length06.05.2024
package typeSOT-223(SC-73)
package width03.05.2024
packagingTape and Reel
партномер8006187668
part statusActive
pcb changed3
pin count4
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power - max2W
product categoryBipolar Power
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)150 MHz
размеры6.7 x 3.7 x 1.65мм
размер фабричной упаковки1000
reach statusREACH Affected
rohs statusROHS3 Compliant
серияFZT692
standard package nameSOT
supplier device packageSOT-223
supplier packageSOT-223
supplier temperature gradeAutomotive
tabTab
тип корпусаSOT-223
тип монтажаПоверхностный монтаж
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
тип транзистораNPN
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor configurationОдинарный
transistor typeNPN
typeNPN
упаковка / блокSOT-223-4
vce saturation (max) @ ib, ic500mV @ 200mA, 2A
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)70V
Время загрузки23:58:51
Ширина3.7 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль