STP6N80K5

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторыкорпус: TO-220AB, инфо: Транзистор полевой N-канальный 800В 4.5AМОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE
Основные
вес, г2.73
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
130
+
Бонус: 2.6 !
Бонусная программа
Итого: 130
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторыкорпус: TO-220AB, инфо: Транзистор полевой N-канальный 800В 4.5AМОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE
Основные
вес, г2.73
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки1000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаSTMicroelectronics
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
серияSTP6N80K5
время нарастания7.5 ns
время спада16 ns
коммерческое обозначениеMDmesh
pd - рассеивание мощности85 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки4.5 A
qg - заряд затвора13 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток1.6 Ohms
vds - напряжение пробоя сток-исток800 V
vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток4 V
канальный режимEnhancement
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения28.5 ns
типичное время задержки при включении16 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль