NSS40201LT1G, Bipolar Transistors - BJT LO V NPN TRANSISTOR 40V 4.0A

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: NSS40201LT1G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor NSS40201LT1G, Bipolar Transistors - BJT LO V ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
130
+
Бонус: 2.6 !
Бонусная программа
Итого: 130
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTThe NSS40201LT1G is a NPN Bipolar Transistor designed for use in low voltage, high speed switching applications where affordable efficient energy control is important. It is a miniature surface-mount device featuring ultra-low saturation voltage VCE(sat) and high current gain capability. • High current gain• ESD robust• High current gain• High cut-off frequency• Low profile package• Linear gain (Beta)• Improved circuit efficiency• Decreased battery charge time• Reduce component count• High frequency switching• Smaller portable product• No distortion• AECQ101 qualified and PPAP capable
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
частота перехода ft150МГц
collector emitter voltage max40В
continuous collector current
dc current gain hfe min370hFE
dc усиление тока hfe370hFE
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продукта:Биполярные транзисторы-BJT
количество выводов3вывод(-ов)
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe):200
конфигурация:Single
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура150 C
максимальная рабочая температура:+150 C
максимальный постоянный ток коллектора:2 a
maximum collector base voltage40 V dc
maximum collector emitter voltage40 V
maximum dc collector current2 A
maximum emitter base voltage6 V
maximum operating frequency100 MHz
maximum operating temperature+150 °C
maximum power dissipation460 mW
минимальная рабочая температура:-55 C
minimum dc current gain200
монтаж транзистораSurface Mount
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo):6 V
напряжение коллектор-база (vcbo):40 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.:40 V
number of elements per chip1
package typeSOT-23
партномер8005526560
pd - рассеивание мощности:540 mW
pin count3
подкатегория:Transistors
полярность транзистораNPN
полярность транзистора:NPN
power dissipation540мВт
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft):150 MHz
производитель:onsemi
размер фабричной упаковки:3000
серия:NSS40201L
стиль корпуса транзистораSOT-23
технология:Si
тип продукта:BJTs-Bipolar Transistors
торговая марка:onsemi
transistor configurationSingle
transistor typeNPN
упаковка / блок:SOT-23-3
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
вид монтажа:SMD/SMT
Время загрузки2:08:26
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль