STP3NK60Z

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleN-канал, 600 В, 2,4 А (Tc), 45 Вт (Tc), сквозное отверстие, TO-220AB
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
540
+
Бонус: 10.8 !
Бонусная программа
Итого: 540
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleN-канал, 600 В, 2,4 А (Tc), 45 Вт (Tc), сквозное отверстие, TO-220AB
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-220-3
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки1000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаSTMicroelectronics
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
серияSTP3NK60Z
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageTO-220AB
длина10.4 mm
время нарастания14 ns
время спада14 ns
коммерческое обозначениеSuperMESH
pin count3
packagingTube
product categoryPower MOSFET
seriesSuperMESHв„ў ->
pd - рассеивание мощности45 W
количество каналов1 Channel
automotiveNo
eu rohsCompliant with Exemption
lead shapeThrough Hole
maximum operating temperature (°c)150
mountingThrough Hole
part statusNRND
pcb changed3
standard package nameTO-220
supplier packageTO-220
base product numberSTP3NK60 ->
eccn (us)EAR99
maximum power dissipation (mw)45000
minimum operating temperature (°c)-55
configurationSingle
hts8541.10.00.80
package height9.15(Max)
package length10.4(Max)
package width4.6(Max)
process technologySuperMESH
Вес и габариты
технологияSi
number of elements per chip1
конфигурацияSingle
channel typeN
technologyMOSFET (Metal Oxide)
other related documentshttp://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
tabTab
id - непрерывный ток утечки2.4 A
qg - заряд затвора11.8 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток3.6 Ohms
vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.1.8 S
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения19 ns
типичное время задержки при включении9 ns
channel modeEnhancement
maximum continuous drain current (a)2.4
maximum drain source resistance (mohm)3600@10V
maximum drain source voltage (v)600
maximum gate source voltage (v)±30
typical fall time (ns)14
typical gate charge @ 10v (nc)11.8
typical gate charge @ vgs (nc)11.8@10V
typical input capacitance @ vds (pf)311@25V
typical rise time (ns)14
typical turn-off delay time (ns)19
typical turn-on delay time (ns)9
current - continuous drain (id) @ 25в°c2.4A (Tc)
drain to source voltage (vdss)600V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs11.8nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds311pF @ 25V
power dissipation (max)45W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs3.6Ohm @ 1.2A, 10V
vgs (max)В±30V
vgs(th) (max) @ id4.5V @ 50ВµA
militaryNo
Высота 9.15 мм
ТипMOSFET
Ширина4.6 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль