DMN10H220L-7
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
МОП-транзистор 100V N-Ch Enh FET 16Vgs 1.6A 1.3W
| Вес и габариты | |
| base product number | DMN10H220 -> |
| continuous drain current (id) @ 25в°c | 1.4A |
| current - continuous drain (id) @ 25в°c | 1.4A (Ta) |
| drain to source voltage (vdss) | 100V |
| drive voltage (max rds on, min rds on) | 4.5V, 10V |
| eccn | EAR99 |
| fet type | N-Channel |
| gate charge (qg) (max) @ vgs | 8.3nC @ 10V |
| htsus | 8541.29.0095 |
| id - непрерывный ток утечки | 1.6 A |
| input capacitance (ciss) (max) @ vds | 401pF @ 25V |
| канальный режим | Enhancement |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| количество каналов | 1 Channel |
| конфигурация | Single |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting type | Surface Mount |
| operating temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| package / case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| pd - рассеивание мощности | 1.3 W |
| подкатегория | MOSFETs |
| полярность транзистора | N-Channel |
| power dissipation (max) | 1.3W (Ta) |
| power dissipation-max (ta=25в°c) | 1.3W |
| qg - заряд затвора | 8.3 nC |
| размер фабричной упаковки | 3000 |
| rds on - drain-source resistance | 220mО© @ 1.6A,10V |
| rds on (max) @ id, vgs | 220mOhm @ 1.6A, 10V |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 220 mOhms |
| reach status | REACH Unaffected |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| серия | DMN10 |
| supplier device package | SOT-23 |
| technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| технология | Si |
| типичное время задержки при включении | 6.8 ns |
| типичное время задержки выключения | 7.9 ns |
| тип продукта | MOSFET |
| тип транзистора | 1 N-Channel |
| торговая марка | Diodes Incorporated |
| transistor polarity | N Channel |
| упаковка / блок | SOT-23-3 |
| vds - drain-source breakdown voltage | 100V |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| vgs - gate-source voltage | 2.5V @ 250uA |
| vgs (max) | В±16V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| vgs(th) (max) @ id | 2.5V @ 250ВµA |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| время нарастания | 8.2 ns |
| время спада | 3.6 ns |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26