STP18NM80

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
МОП-транзистор N-channel 800 V MDMesh
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature150В°C (TJ)
packageTube
350
+
Бонус: 7 !
Бонусная программа
Итого: 350
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор N-channel 800 V MDMesh
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-220-3
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура65 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки1000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаSTMicroelectronics
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
серияSTP18NM80
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageTO-220AB
время нарастания28 ns
время спада50 ns
коммерческое обозначениеMDmesh
seriesMDmeshв„ў ->
pd - рассеивание мощности190 W
количество каналов1 Channel
base product numberSTP18 ->
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
technologyMOSFET (Metal Oxide)
other related documentshttp://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
id - непрерывный ток утечки17 A
qg - заряд затвора70 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток295 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток800 V
vgs - напряжение затвор-исток30 V
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения96 ns
типичное время задержки при включении18 ns
current - continuous drain (id) @ 25в°c17A (Tc)
drain to source voltage (vdss)800V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs70nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds2070pF @ 50V
power dissipation (max)190W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs295mOhm @ 8.5A, 10V
vgs (max)В±30V
vgs(th) (max) @ id5V @ 250ВµA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль