STP15N80K5, Транзистор: N-MOSFET
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: STP15N80K5
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
| Основные | |
| вес, г | 2 |
| package / case | TO-220-3 |
| максимальная рабочая температура | 150 C |
| minimum operating temperature | -55 C |
| factory pack quantity | 1000 |
| manufacturer | STMicroelectronics |
| maximum operating temperature | +150 C |
| mounting style | Through Hole |
| packaging | Tube |
| product category | MOSFET |
| product type | MOSFET |
| series | STP15N80K5 |
| subcategory | MOSFETs |
| количество выводов | 3вывод(-ов) |
| configuration | Single |
| fall time | 10 ns |
| rise time | 17.6 ns |
| number of channels | 1 Channel |
| Вес и габариты | |
| tradename | MDmesh |
| channel type | N Channel |
| technology | Si |
| pd - power dissipation | 190 W |
| рассеиваемая мощность | 190Вт |
| power dissipation | 190Вт |
| напряжение истока-стока vds | 800В |
| полярность транзистора | N Канал |
| стиль корпуса транзистора | TO-220AB |
| непрерывный ток стока | 14А |
| сопротивление во включенном состоянии rds(on) | 0.3Ом |
| напряжение измерения rds(on) | 10В |
| пороговое напряжение vgs | 4В |
| rds on - drain-source resistance | 300 mOhms |
| transistor polarity | N-Channel |
| vds - drain-source breakdown voltage | 800 V |
| vgs - gate-source voltage | 30 V |
| id - continuous drain current | 14 A |
| typical turn-on delay time | 19 ns |
| typical turn-off delay time | 44 ns |
| qg - gate charge | 32 nC |
| transistor type | 1 N-Channel |
| vgs th - gate-source threshold voltage | 4 V |
| монтаж транзистора | Through Hole |
| drain source on state resistance | 0.3Ом |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]](/wa-data/public/shop/products/34/17/211734/images/243267/243267.300x0.jpg "NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]")
![IRF7416PBF, Транзистор, P-канал 30В 10А [SO-8]](/wa-data/public/shop/products/33/25/192533/images/227171/227171.300x0.jpg "IRF7416PBF, Транзистор, P-канал 30В 10А [SO-8]")
![Транзистор КТ209Л \PNP\0,2\TO-92\](/wa-data/public/shop/products/93/77/187793/images/223758/223758.300x0.jpg "Транзистор КТ209Л \PNP\0,2\TO-92\")
![KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]](/wa-data/public/shop/products/33/37/123733/images/155187/155187.300x0.jpg "KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]")
