STP13N60M2, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 600 В, 11 А, 0.35 Ом, TO-220AB, Through Hole
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: STP13N60M2
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыN-канал 600V 11A (Tc) 110W (Tc) сквозное отверстие TO-220
Основные | |
вес, г | 2.3 |
moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
mounting type | Through Hole |
operating temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
package | Tube |
package / case | TO-220-3 |
rohs status | ROHS3 Compliant |
максимальная рабочая температура | 150 C |
eccn | EAR99 |
htsus | 8541.29.0095 |
reach status | REACH Unaffected |
supplier device package | TO-220 |
линейка продукции | MDmesh II Plus |
series | MDmeshв„ў II Plus -> |
количество выводов | 3вывод(-ов) |
base product number | STP13 -> |
factory pack quantity: factory pack quantity: | 1000 |
manufacturer: | STMicroelectronics |
maximum operating temperature: | +150 C |
minimum operating temperature: | -55 C |
mounting style: | Through Hole |
product category: | MOSFET |
product type: | MOSFET |
series: | STP13N60M2 |
subcategory: | MOSFETs |
packaging: | Tube |
уровень чувствительности к влажности (msl) | MSL 1-Безлимитный |
Вес и габариты | |
package/case: | TO-220-3 |
tradename: | MDmesh |
channel type | N Channel |
pd - power dissipation: | 110 W |
technology | MOSFET (Metal Oxide) |
number of channels: | 1 Channel |
technology: | Si |
рассеиваемая мощность | 110Вт |
power dissipation | 110Вт |
configuration: | Single |
напряжение истока-стока vds | 600В |
полярность транзистора | N Канал |
стиль корпуса транзистора | TO-220AB |
непрерывный ток стока | 11А |
сопротивление во включенном состоянии rds(on) | 0.35Ом |
напряжение измерения rds(on) | 10В |
пороговое напряжение vgs | 3В |
current - continuous drain (id) @ 25в°c | 11A (Tc) |
drain to source voltage (vdss) | 600V |
drive voltage (max rds on, min rds on) | 10V |
fet type | N-Channel |
gate charge (qg) (max) @ vgs | 17nC @ 10V |
input capacitance (ciss) (max) @ vds | 580pF @ 100V |
power dissipation (max) | 110W (Tc) |
rds on (max) @ id, vgs | 380mOhm @ 5.5A, 10V |
vgs (max) | В±25V |
vgs(th) (max) @ id | 4V @ 250ВµA |
channel mode: | Enhancement |
id - continuous drain current: | 11 A |
qg - gate charge: | 17 nC |
rds on - drain-source resistance: | 380 mOhms |
transistor polarity: | N-Channel |
transistor type: | 1 N-Channel |
vds - drain-source breakdown voltage: | 650 V |
vgs - gate-source voltage: | -25 V, +25 V |
vgs th - gate-source threshold voltage: | 3 V |
монтаж транзистора | Through Hole |
typical turn-off delay time: | 41 ns |
typical turn-on delay time: | 11 ns |
drain source on state resistance | 0.35Ом |
fall time: | 9.5 ns |
rise time: | 10 ns |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26