STP11NM60FDFP, MOSFET N-Ch 600 Volt 11 Amp

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFETСтандартные продуктыСтандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели...

Подробное описание

Основные
вес, г	2
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting type	Through Hole
package	Tube

Все характеристики

1 720 ₽

– +

Бонус: 34.4 !

Бонусная программа

Итого: 1 720 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Основные
вес, г	2
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting type	Through Hole
package	Tube
package / case	TO-220-3 Full Pack
rohs status	ROHS3 Compliant
eccn	EAR99
htsus	8541.29.0095
reach status	REACH Unaffected
supplier device package	TO-220FP
pin count	3
packaging	Tube
product category	Power MOSFET
series	FDmeshв„ў ->
automotive	No
eu rohs	Compliant with Exemption
lead shape	Through Hole
maximum operating temperature (°c)	150
mounting	Through Hole
part status	active
pcb changed	3
standard package name	TO-220
supplier package	TO-220FP
base product number	STP11 ->
eccn (us)	ear99
maximum power dissipation (mw)	35000
minimum operating temperature (°c)	-65
configuration	Single
factory pack quantity: factory pack quantity:	1000
manufacturer:	STMicroelectronics
maximum operating temperature:	+150 C
minimum operating temperature:	-65 C
mounting style:	Through Hole
product category:	MOSFET
product type:	MOSFET
series:	STP11NM60FD
subcategory:	MOSFETs
packaging:	Tube
hts	8541.10.00.80
package height	16.4(Max)
package length	10.4(Max)
package width	4.6(Max)
Вес и габариты
package/case:	TO-220-3
number of elements per chip	1
channel type	N
pd - power dissipation:	35 W
technology	MOSFET (Metal Oxide)
number of channels:	1 Channel
other related documents	http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
tab	Tab
technology:	Si
configuration:	Single
channel mode	Enhancement
maximum continuous drain current (a)	11
maximum drain source resistance (mohm)	450@10V
maximum drain source voltage (v)	600
maximum gate source voltage (v)	±30
typical fall time (ns)	15
typical gate charge @ 10v (nc)	28
typical gate charge @ vgs (nc)	28@10V
typical input capacitance @ vds (pf)	900@25V
typical rise time (ns)	16
typical turn-on delay time (ns)	20
current - continuous drain (id) @ 25в°c	11A (Tc)
drain to source voltage (vdss)	600V
drive voltage (max rds on, min rds on)	10V
fet type	N-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs	40nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds	900pF @ 25V
power dissipation (max)	35W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs	450mOhm @ 5.5A, 10V
vgs (max)	В±30V
vgs(th) (max) @ id	5V @ 250ВµA
military	No
channel mode:	Enhancement
id - continuous drain current:	11 A
qg - gate charge:	40 nC
rds on - drain-source resistance:	450 mOhms
transistor polarity:	N-Channel
transistor type:	1 N-Channel
vds - drain-source breakdown voltage:	600 V
vgs - gate-source voltage:	-30 V, +30 V
vgs th - gate-source threshold voltage:	3 V
typical turn-on delay time:	20 ns
fall time:	15 ns
rise time:	16 ns

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки