HGTP12N60C3D, Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 104mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: HGTP12N60C3D
HGTP12N60C3D, Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 104mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Основные
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура40 C
310
+
Бонус: 6.2 !
Бонусная программа
Итого: 310
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HGTP12N60C3D
Основные
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки800
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
серияHGTP12N60C3D
длина10.67 mm
pd - рассеивание мощности104 W
другие названия товара №HGTP12N60C3D_NL
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
максимальное напряжение затвор-эмиттер+/- 20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.600 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.65 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c24 A
ток утечки затвор-эмиттер+/- 100 nA
непрерывный коллекторный ток24 A
непрерывный ток коллектора ic, макс.24 A
Высота 9.4 мм
Ширина4.83 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль