STP11NM60, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 600 В, 11 А, 0.4 Ом, TO-220AB, Through Hole

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: STP11NM60
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыN-канал 650V 11A (Tc) 160W (Tc) сквозное отверстие TO-220AB
Основные
вес, г2.3
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-65В°C ~ 150В°C (TJ)
1 160
+
Бонус: 23.2 !
Бонусная программа
Итого: 1 160
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыN-канал 650V 11A (Tc) 160W (Tc) сквозное отверстие TO-220AB
Основные
вес, г2.3
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-65В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-220-3
rohs statusROHS3 Compliant
максимальная рабочая температура150 C
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageTO-220AB
seriesMDmeshв„ў ->
количество выводов3вывод(-ов)
base product numberSTP11 ->
Вес и габариты
channel typeN Channel
technologyMOSFET (Metal Oxide)
other related documentshttp://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
рассеиваемая мощность160Вт
power dissipation160Вт
напряжение истока-стока vds600В
полярность транзистораN Канал
стиль корпуса транзистораTO-220AB
непрерывный ток стока11А
сопротивление во включенном состоянии rds(on)0.4Ом
напряжение измерения rds(on)10В
пороговое напряжение vgs
current - continuous drain (id) @ 25в°c11A (Tc)
drain to source voltage (vdss)650V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs30nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds1000pF @ 25V
power dissipation (max)160W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs450mOhm @ 5.5A, 10V
vgs (max)В±25V
vgs(th) (max) @ id5V @ 250ВµA
монтаж транзистораThrough Hole
drain source on state resistance0.4Ом
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль