STP10N60M2

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2
Основные
вес, г0.33
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
490
+
Бонус: 9.8 !
Бонусная программа
Итого: 490
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2
Основные
вес, г0.33
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки1000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаSTMicroelectronics
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
серияSTP10N60M2
время нарастания8 ns
время спада13.2 ns
коммерческое обозначениеMDmesh
pd - рассеивание мощности85 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки7.5 A
qg - заряд затвора13.5 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток560 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
vgs - напряжение затвор-исток25 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения32.5 ns
типичное время задержки при включении8.8 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль