Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power МОП-транзистор in I2PAK package
Основные
вес, г
1.438
вид монтажа
Through Hole
категория продукта
МОП-транзистор
максимальная рабочая температура
+ 150 C
подкатегория
MOSFETs
размер фабричной упаковки
1000
тип продукта
MOSFET
торговая марка
STMicroelectronics
упаковка
Tube
упаковка / блок
TO-262-3
серия
STI33N65M2
время нарастания
11.5 ns
время спада
9 ns
коммерческое обозначение
MDmesh
pd - рассеивание мощности
190 W
количество каналов
1 Channel
Вес и габариты
технология
Si
конфигурация
Single
id - непрерывный ток утечки
24 A
qg - заряд затвора
41.5 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток
117 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток
650 V
vgs - напряжение затвор-исток
25 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2 V
канальный режим
Enhancement
полярность транзистора
N-Channel
тип транзистора
1 N-Channel
типичное время задержки выключения
72.5 ns
типичное время задержки при включении
13.5 ns
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26