STI33N65M2

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power МОП-транзистор in I2PAK package
Основные
вес, г1.438
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
1 280
+
Бонус: 25.6 !
Бонусная программа
Итого: 1 280
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power МОП-транзистор in I2PAK package
Основные
вес, г1.438
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки1000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаSTMicroelectronics
упаковкаTube
упаковка / блокTO-262-3
серияSTI33N65M2
время нарастания11.5 ns
время спада9 ns
коммерческое обозначениеMDmesh
pd - рассеивание мощности190 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки24 A
qg - заряд затвора41.5 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток117 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток650 V
vgs - напряжение затвор-исток25 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
канальный режимEnhancement
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения72.5 ns
типичное время задержки при включении13.5 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль