STF5N60M2

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
МОП-транзистор N-CH 600V 1.26Ohm typ. 3.7A MDmesh M2
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature150В°C (TJ)
packageTube
550
+
Бонус: 11 !
Бонусная программа
Итого: 550
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор N-CH 600V 1.26Ohm typ. 3.7A MDmesh M2
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-220-3 Full Pack
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки1000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаSTMicroelectronics
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
серияSTF5N60M2
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageTO-220FP
коммерческое обозначениеMDmesh
seriesMDmeshв„ў II Plus ->
pd - рассеивание мощности20 W
количество каналов1 Channel
base product numberSTF5N60 ->
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
technologyMOSFET (Metal Oxide)
id - непрерывный ток утечки3.7 A
qg - заряд затвора4.5 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток1.26 Ohms
vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
vgs - напряжение затвор-исток25 V, + 25 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V
канальный режимEnhancement
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
current - continuous drain (id) @ 25в°c3.7A (Tc)
drain to source voltage (vdss)600V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs4.5nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds165pF @ 100V
power dissipation (max)20W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs1.4Ohm @ 1.85A, 10V
vgs (max)В±25V
vgs(th) (max) @ id4V @ 250ВµA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль