STF42N60M2-EP

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Все продукты\Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE
Основные
вес, г2.3
вид монтажа:Through Hole
категория продукта:МОП-транзистор
максимальная рабочая температура:+ 150 C
2 190
+
Бонус: 43.8 !
Бонусная программа
Итого: 2 190
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Все продукты\Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE
Основные
вес, г2.3
вид монтажа:Through Hole
категория продукта:МОП-транзистор
максимальная рабочая температура:+ 150 C
минимальная рабочая температура:- 55 C
подкатегория:MOSFETs
производитель:STMicroelectronics
серия:STF42N60M2-EP
тип продукта:MOSFET
торговая марка:STMicroelectronics
размер фабричной упаковки:1000
упаковка:Tube
упаковка / блок:TO-220-3
время нарастания:9.5 ns
время спада:8 ns
Вес и габариты
коммерческое обозначение:MDmesh
pd - рассеивание мощности:40 W
количество каналов:1 Channel
технология:Si
конфигурация:Single
id - непрерывный ток утечки:34 A
qg - заряд затвора:55 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток:87 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток:600 V
vgs - напряжение затвор-исток:- 25 V, + 25 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток :2 V
канальный режим:Enhancement
полярность транзистора:N-Channel
типичное время задержки выключения:96.5 ns
типичное время задержки при включении:16.5 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль