FZT692BTA, Trans GP BJT NPN 70V 2A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FZT692BTA
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General Purpose Darlington Transistors, Diodes Inc.
Основные | |
Производитель | DiodesZetex |
Вес и габариты | |
automotive | No |
base product number | FZT692 -> |
число контактов | 3 + Tab |
collector- base voltage vcbo | 70 V |
collector-emitter saturation voltage | 500 mV |
collector- emitter voltage vceo max | 70 V |
configuration | Single Dual Collector |
continuous collector current | 2 A |
current - collector cutoff (max) | 100nA |
current - collector (ic) (max) | 2A |
dc collector/base gain hfe min | 150 at 1 A, 2 V |
dc current gain hfe max | 500 |
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce | 150 @ 1A, 2V |
длина | 6.7мм |
eccn | EAR99 |
eccn (us) | EAR99 |
emitter- base voltage vebo | 7 V |
eu rohs | Compliant with Exemption |
factory pack quantity | 1000 |
frequency - transition | 150MHz |
gain bandwidth product ft | 150 MHz |
Высота | 1.65 мм |
hts | 8541.29.00.95 |
htsus | 8541.29.0075 |
категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс. | 500 |
количество элементов на ис | 1 |
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 150 at 1 A, 2 V |
конфигурация | Single |
lead shape | Gull-wing |
максимальная рабочая температура | +150 °C |
максимальное напряжение эмиттер-база | 5 В |
максимальное напряжение коллектор-база | 70 В |
максимальное напряжение к-э (коллектор-эмиттер) | 70 В |
максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | 0,9 В |
максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0,5 В |
максимальный постоянный ток коллектора | 5 A |
максимальный пост. ток коллектора | 2 A |
manufacturer | Diodes Incorporated |
maximum base emitter saturation voltage (v) | 0.9@10mA@1A |
maximum collector base voltage (v) | 70 |
maximum collector cut-off current (na) | 100 |
maximum collector-emitter saturation voltage (v) | 0.15@0.5mA@0.1A|0.5@10mA@1A|0.5@200mA@2A |
maximum collector-emitter voltage (v) | 70 |
maximum dc collector current | 5 A |
maximum dc collector current (a) | 2 |
maximum emitter base voltage (v) | 7 |
maximum operating temperature | +150 C |
maximum operating temperature (°c) | 150 |
maximum power dissipation (mw) | 3000 |
maximum transition frequency (mhz) | 150(Min) |
military | No |
минимальная рабочая температура | -55 °C |
минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 150W |
minimum dc current gain | 400@500mA@2V|150@1A@2V|500@100mA@2V |
minimum operating temperature | -55 C |
minimum operating temperature (°c) | -55 |
moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
mounting | Surface Mount |
mounting style | SMD/SMT |
mounting type | Surface Mount |
напряжение эмиттер-база (vebo) | 7 V |
напряжение коллектор-база (vcbo) | 70 V |
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 70 V |
напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 500 mV |
непрерывный коллекторный ток | 2 A |
number of elements per chip | 1 |
operating temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
package / case | TO-261-4, TO-261AA |
package height | 1.6 |
package length | 6.5 |
package width | 3.5 |
packaging | Tape and Reel |
part status | Active |
pcb changed | 3 |
pin count | 4 |
подкатегория | Transistors |
полярность транзистора | NPN |
power - max | 2W |
product category | Bipolar Power |
product type | BJTs-Bipolar Transistors |
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 150 MHz |
размеры | 6.7 x 3.7 x 1.65мм |
размер фабричной упаковки | 1000 |
reach status | REACH Affected |
rohs status | ROHS3 Compliant |
series | FZT692 |
серия | FZT692 |
standard package name | SOT |
subcategory | Transistors |
supplier device package | SOT-223 |
supplier package | SOT-223 |
supplier temperature grade | Automotive |
tab | Tab |
тип корпуса | SOT-223 |
тип монтажа | Поверхностный монтаж |
тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
тип транзистора | NPN |
торговая марка | Diodes Incorporated |
transistor configuration | Одинарный |
transistor polarity | NPN |
transistor type | NPN |
type | NPN |
упаковка / блок | SOT-223-4 |
vce saturation (max) @ ib, ic | 500mV @ 200mA, 2A |
вид монтажа | SMD/SMT |
voltage - collector emitter breakdown (max) | 70V |
Ширина | 3.7 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26