| Основные | |
| вес, г | 2.44 |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting type | Through Hole |
| operating temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| package | Tube |
| package / case | TO-220-3 Full Pack |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| вид монтажа | Through Hole |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| подкатегория | MOSFETs |
| размер фабричной упаковки | 1000 |
| тип продукта | MOSFET |
| торговая марка | STMicroelectronics |
| упаковка | Tube |
| упаковка / блок | TO-220-3 |
| eccn | EAR99 |
| htsus | 8541.29.0095 |
| серия | STF18N60M2 |
| reach status | REACH Unaffected |
| supplier device package | TO-220FP |
| время нарастания | 9 ns |
| время спада | 10.6 ns |
| коммерческое обозначение | MDmesh |
| length | 10.4mm |
| package type | TO-220FP |
| minimum operating temperature | -55 °C |
| width | 4.6mm |
| pin count | 3 |
| maximum operating temperature | +150 °C |
| series | MDmesh M2 |
| pd - рассеивание мощности | 25 W |
| количество каналов | 1 Channel |
| base product number | STF18 -> |
| height | 16.4mm |
| Вес и габариты | |
| технология | Si |
| number of elements per chip | 1 |
| конфигурация | Single |
| channel type | N |
| technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| transistor configuration | Single |
| maximum drain source voltage | 650 V |
| maximum gate source voltage | -25 V, +25 V |
| id - непрерывный ток утечки | 13 A |
| qg - заряд затвора | 21.5 nC |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 255 mOhms |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 25 V |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| полярность транзистора | N-Channel |
| тип транзистора | 1 N-Channel |
| типичное время задержки выключения | 47 ns |
| типичное время задержки при включении | 12 ns |
| maximum continuous drain current | 13 A |
| transistor material | Si |
| maximum gate threshold voltage | 4V |
| maximum drain source resistance | 280 mΩ |
| channel mode | Enhancement |
| current - continuous drain (id) @ 25в°c | 13A (Tc) |
| drain to source voltage (vdss) | 600V |
| drive voltage (max rds on, min rds on) | 10V |
| fet type | N-Channel |
| gate charge (qg) (max) @ vgs | 21.5nC @ 10V |
| input capacitance (ciss) (max) @ vds | 791pF @ 100V |
| power dissipation (max) | 25W (Tc) |
| rds on (max) @ id, vgs | 280mOhm @ 6.5A, 10V |
| vgs (max) | В±25V |
| vgs(th) (max) @ id | 4V @ 250ВµA |
| minimum gate threshold voltage | 2V |
| rds on - drain-source resistance | 280mО© @ 6.5A,10V |
| transistor polarity | N Channel |
| vds - drain-source breakdown voltage | 600V |
| vgs - gate-source voltage | 4V @ 250uA |
| maximum power dissipation | 25 W |
| typical gate charge @ vgs | 21.5 nC @ 10 V |
| continuous drain current (id) @ 25в°c | 13A(Tc) |
| power dissipation-max (ta=25в°c) | 25W(Tc) |
![BC337-40RL1G, Транзистор NPN 45В 0.8А 0.6Вт [TO-92]](/wa-data/public/shop/products/56/79/287956/images/328526/328526.300x0.jpg "BC337-40RL1G, Транзистор NPN 45В 0.8А 0.6Вт [TO-92]")
