Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT Power BJT

Подробное описание

5 860 ₽

– +

Бонус: 117.2 !

Бонусная программа

Итого: 5 860 ₽

Купить

Вес и габариты
длина	9.4 mm
Высота	6.6 мм
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.	120 at 1 A, 2 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	40 at 100 mA, 2 V
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 200 C
максимальный постоянный ток коллектора	3 A
минимальная рабочая температура	65 C
напряжение эмиттер-база (vebo)	8 V
напряжение коллектор-база (vcbo)	125 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	80 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	500 mV
непрерывный коллекторный ток	3 A
pd - рассеивание мощности	1 W
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	NPN
размер фабричной упаковки	100
rohs	N
технология	Si
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка	Microchip / Microsemi
упаковка	Bulk
упаковка / блок	TO-5-3
вид монтажа	Through Hole
Ширина	8.51 мм

Отзывов нет

Кнопки

2N3421