STF15N65M5

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор N-Ch 650V 0.308 Ohm 11 A MDmesh M5
Основные
вес, г0.33
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature150В°C (TJ)
860
+
Бонус: 17.2 !
Бонусная программа
Итого: 860
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор N-Ch 650V 0.308 Ohm 11 A MDmesh M5
Основные
вес, г0.33
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-220-3 Full Pack
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки1000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаSTMicroelectronics
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
серияSTF15N65M5
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageTO-220FP
коммерческое обозначениеMDmesh
seriesMDmeshв„ў V ->
pd - рассеивание мощности25 W
количество каналов1 Channel
base product numberSTF15 ->
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
technologyMOSFET (Metal Oxide)
other related documentshttp://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
id - непрерывный ток утечки6.9 A
rds вкл - сопротивление сток-исток340 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток650 V
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
current - continuous drain (id) @ 25в°c11A (Tc)
drain to source voltage (vdss)650V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs22nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds816pF @ 100V
power dissipation (max)30W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs340mOhm @ 5.5A, 10V
vgs (max)В±25V
vgs(th) (max) @ id5V @ 250ВµA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль