STF14NM50N
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Транзисторы и сборки MOSFETкол-во в упаковке: 50, корпус: TO220FPМОП-транзистор N-Ch 500V 0.246 Ohm 12A Mdmesh 2 PWR MO
| Основные | |
| вес, г | 2.5 |
| вид монтажа | Through Hole |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| подкатегория | MOSFETs |
| размер фабричной упаковки | 1000 |
| тип продукта | MOSFET |
| торговая марка | STMicroelectronics |
| упаковка | Tube |
| упаковка / блок | TO-220-3 |
| серия | STF14NM50N |
| время нарастания | 16 ns |
| время спада | 22 ns |
| коммерческое обозначение | MDmesh |
| pin count | 3 |
| packaging | Tube |
| product category | Power MOSFET |
| pd - рассеивание мощности | 25 W |
| количество каналов | 1 Channel |
| automotive | No |
| eu rohs | Compliant with Exemption |
| lead shape | Through Hole |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| mounting | Through Hole |
| part status | Active |
| pcb changed | 3 |
| standard package name | TO-220 |
| supplier package | TO-220FP |
| eccn (us) | EAR99 |
| maximum power dissipation (mw) | 25000 |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| configuration | Single |
| hts | 8541.29.00.95 |
| package height | 16.4(Max) |
| package length | 10.4(Max) |
| package width | 4.6(Max) |
| process technology | MDmesh II |
| Вес и габариты | |
| технология | Si |
| number of elements per chip | 1 |
| конфигурация | Single |
| channel type | N |
| tab | Tab |
| id - непрерывный ток утечки | 12 A |
| qg - заряд затвора | 27 nC |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 320 mOhms |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| канальный режим | Enhancement |
| полярность транзистора | N-Channel |
| тип транзистора | 1 N-Channel Power MOSFET |
| типичное время задержки выключения | 42 ns |
| типичное время задержки при включении | 12 ns |
| channel mode | Enhancement |
| maximum continuous drain current (a) | 12 |
| maximum drain source resistance (mohm) | 320@10V |
| maximum drain source voltage (v) | 500 |
| maximum gate source leakage current (na) | 100 |
| maximum gate source voltage (v) | ±25 |
| maximum gate threshold voltage (v) | 4 |
| maximum idss (ua) | 1 |
| typical fall time (ns) | 22 |
| typical gate charge @ 10v (nc) | 27 |
| typical gate charge @ vgs (nc) | 27@10V |
| typical input capacitance @ vds (pf) | 816@50V |
| typical rise time (ns) | 16 |
| typical turn-off delay time (ns) | 42 |
| typical turn-on delay time (ns) | 12 |
| military | No |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]](/wa-data/public/shop/products/34/17/211734/images/243267/243267.300x0.jpg "NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]")
![2SK2842, Транзистор, N-канал [TO-220F]](/wa-data/public/shop/products/04/73/27304/images/37846/37846.300x0.jpg "2SK2842, Транзистор, N-канал [TO-220F]")
![IRLR3636TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 60В, 50А [D-PAK]](/wa-data/public/shop/products/28/35/193528/images/228557/228557.300x0.jpg "IRLR3636TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 60В, 50А [D-PAK]")
![KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]](/wa-data/public/shop/products/33/37/123733/images/155187/155187.300x0.jpg "KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]")
