STF11N60M2-EP

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор N-channel 600 V, 0.550 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 EP Power МОП-транзистор in a TO-220FP package
Основные
вес, г2
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
550
+
Бонус: 11 !
Бонусная программа
Итого: 550
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор N-channel 600 V, 0.550 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 EP Power МОП-транзистор in a TO-220FP package
Основные
вес, г2
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки1000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаSTMicroelectronics
упаковка / блокTO-220FP-3
серияSTF11N60M2-EP
время нарастания5.5 ns
время спада8 ns
коммерческое обозначениеMDmesh
pd - рассеивание мощности25 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки7.5 A
qg - заряд затвора12.4 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток550 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
vgs - напряжение затвор-исток25 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
канальный режимEnhancement
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения26 ns
типичное время задержки при включении9 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль