STD4NK60Z-1, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 2,5А, Idm: 16А, 70Вт, IPAK

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: STD4NK60Z-1
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTN-Channel 600V 4A (Tc) 70W (Tc) Through Hole I-PAK
Основные
вес, г2.5
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
200
+
Бонус: 4 !
Бонусная программа
Итого: 200
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTN-Channel 600V 4A (Tc) 70W (Tc) Through Hole I-PAK
Основные
вес, г2.5
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
rohs statusROHS3 Compliant
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageI-PAK
seriesSuperMESHв„ў ->
base product numberSTD4NK60 ->
Вес и габариты
technologyMOSFET (Metal Oxide)
other related documentshttp://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
current - continuous drain (id) @ 25в°c4A (Tc)
drain to source voltage (vdss)600V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs26nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds510pF @ 25V
power dissipation (max)70W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs2Ohm @ 2A, 10V
vgs (max)В±30V
vgs(th) (max) @ id4.5V @ 50ВµA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль