2SC6096-TD-E

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor 2SC6096-TD-E
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.106
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
230
+
Бонус: 4.6 !
Бонусная программа
Итого: 230
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
ЭлектроэлементTRANSISTOR, NPN, 100V, 2A, SOT-89; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency ft:300MHz; Power Dissipation Pd:3.5W; DC Collector Current:2A; DC Current Gain hFE:300hFE; Transis
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.106
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
current - collector cutoff (max)1ВµA(ICBO)
current - collector (ic) (max)2A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce300 @ 100mA, 5V
frequency - transition300MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturerON Semiconductor
mounting typeSurface Mount
operating temperature150В°C(TJ)
package / caseTO-243AA
packagingTape & Reel(TR)
партномер8004072972
part statusActive
power - max1.3W
series-
supplier device packagePCP
transistor typeNPN
vce saturation (max) @ ib, ic150mV @ 100mA, 1A
voltage - collector emitter breakdown (max)100V
Время загрузки0:44:42
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль