STD3NM60N

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор N-Ch 600 V 1.6 Ohm 3.3 A MDmesh II
Основные
вес, г4
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
380
+
Бонус: 7.6 !
Бонусная программа
Итого: 380
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор N-Ch 600 V 1.6 Ohm 3.3 A MDmesh II
Основные
вес, г4
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки2500
тип продуктаMOSFET
торговая маркаSTMicroelectronics
упаковка / блокTO-252-3
серияSTD3NM60N
коммерческое обозначениеMDmesh
pd - рассеивание мощности50 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки2.5 A
qg - заряд затвора9.5 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток1.8 Ohms
vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
vgs - напряжение затвор-исток25 V, + 25 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
канальный режимEnhancement
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль