STD10NM60N

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор N-channel 600 V Mdmesh 10A
Основные
вес, г4
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
870
+
Бонус: 17.4 !
Бонусная программа
Итого: 870
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор N-channel 600 V Mdmesh 10A
Основные
вес, г4
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки2500
тип продуктаMOSFET
торговая маркаSTMicroelectronics
упаковка / блокTO-252-3
серияSTD10NM60N
время нарастания12 ns
время спада15 ns
коммерческое обозначениеMDmesh
pd - рассеивание мощности70 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки10 A
qg - заряд затвора19 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток550 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
vgs - напряжение затвор-исток25 V, + 25 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
канальный режимEnhancement
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения32 ns
типичное время задержки при включении10 ns
rds on - drain-source resistance550mО© @ 4A,10V
transistor polarityN Channel
vds - drain-source breakdown voltage600V
vgs - gate-source voltage4V @ 250uA
continuous drain current (id) @ 25в°c10A
power dissipation-max (ta=25в°c)70W
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль