Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор LGS LV МОП-транзистор

Подробное описание

Основные
вес, г	1.38
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 175 C

600 ₽

– +

Бонус: 12 !

Бонусная программа

Итого: 600 ₽

Купить

Основные
вес, г	1.38
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 175 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	1000
тип продукта	MOSFET
торговая марка	STMicroelectronics
упаковка / блок	TO-263-3
серия	STB80N4F6AG
время нарастания	7.6 ns
время спада	11.9 ns
коммерческое обозначение	STripFET
pd - рассеивание мощности	70 W
количество каналов	1 Channel
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Single
квалификация	AEC-Q101
id - непрерывный ток утечки	80 A
qg - заряд затвора	36 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	6 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	40 V
vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
канальный режим	Enhancement
полярность транзистора	N-Channel
тип транзистора	1 N-Channel
типичное время задержки выключения	46.1 ns
типичное время задержки при включении	10.5 ns

Отзывов нет

Кнопки