KSC5502TU, Bipolar Transistors - BJT NPN Planar Silicon

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: KSC5502TU
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor KSC5502TU, Bipolar Transistors - BJT NPN ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г01.08.2024
Высота9.4 mm (Max)
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
500
+
Бонус: 10 !
Бонусная программа
Итого: 500
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT NPN Planar Silicon
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г01.08.2024
Высота9.4 mm (Max)
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
длина10.67 mm (Max)
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.15
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)15
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора2 A
напряжение эмиттер-база (vebo)12 V
напряжение коллектор-база (vcbo)1.2 kV
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.600 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер190 mV
партномер8004835270
pd - рассеивание мощности50000 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
размер фабричной упаковки1000
серияKSC5502
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
вид монтажаThrough Hole
Время загрузки0:56:03
Ширина4.83 м
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль