STB7ANM60N

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор N-CH 600V 5A 0.84Ohm MDmesh II
Основные
вес, г4
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
500
+
Бонус: 10 !
Бонусная программа
Итого: 500
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор N-CH 600V 5A 0.84Ohm MDmesh II
Основные
вес, г4
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки1000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаSTMicroelectronics
упаковка / блокTO-263-3
серияSTB7ANM60N
время нарастания10 ns
время спада12 ns
коммерческое обозначениеMDmesh
pd - рассеивание мощности45 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
квалификацияAEC-Q101
id - непрерывный ток утечки5 A
qg - заряд затвора14 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток900 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
vgs - напряжение затвор-исток25 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения26 ns
типичное время задержки при включении7 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль