Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE

Подробное описание

Основные
вес, г	2.2
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C

640 ₽

– +

Бонус: 12.8 !

Бонусная программа

Итого: 640 ₽

Купить

Основные
вес, г	2.2
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	1000
тип продукта	MOSFET
торговая марка	STMicroelectronics
упаковка / блок	TO-263-3
серия	STB5N80K5
время нарастания	11.7 ns
время спада	14.8 ns
коммерческое обозначение	MDmesh
pd - рассеивание мощности	60 W
количество каналов	1 Channel
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Single
id - непрерывный ток утечки	4 A
qg - заряд затвора	5 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	1.5 Ohms
vds - напряжение пробоя сток-исток	800 V
vgs - напряжение затвор-исток	30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3 V
канальный режим	Enhancement
полярность транзистора	N-Channel
тип транзистора	1 N-Channel
типичное время задержки выключения	23 ns
типичное время задержки при включении	12.7 ns

Отзывов нет

Кнопки