STB36N60M6

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 30 A MDmesh M6 Power МОП-транзистор in a D2PAK package
Основные
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
1 860
+
Бонус: 37.2 !
Бонусная программа
Итого: 1 860
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 30 A MDmesh M6 Power МОП-транзистор in a D2PAK package
Основные
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки1000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаSTMicroelectronics
упаковка / блокD2PAK-3
серияSTB36N60M6
время нарастания5.3 ns
время спада7.3 ns
коммерческое обозначениеMDmesh
pd - рассеивание мощности208 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки30 A
qg - заряд затвора44.3 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток85 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
vgs - напряжение затвор-исток25 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3.25 V
канальный режимEnhancement
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения50.2 ns
типичное время задержки при включении15.2 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль