Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор LowON Res МОП-транзистор ID=4A VDSS=30V

Подробное описание

Основные
вес, г	0.0085
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C

150 ₽

– +

Бонус: 3 !

Бонусная программа

Итого: 150 ₽

Купить

Основные
вес, г	0.0085
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	3000
тип продукта	MOSFET
торговая марка	Toshiba
упаковка	Reel, Cut Tape
упаковка / блок	UDFN-6
серия	SSM6N68NU
pd - рассеивание мощности	1 W
количество каналов	2 Channel
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Dual
id - непрерывный ток утечки	4 A
qg - заряд затвора	1.8 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	84 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V
vgs - напряжение затвор-исток	12 V, - 8 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	400 mV
канальный режим	Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	5.2 S
полярность транзистора	N-Channel
типичное время задержки выключения	9 ns
типичное время задержки при включении	26 ns

Отзывов нет

Кнопки