SSM6L61NU,LF

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор Small-signal МОП-транзистор 2 in 1 Nch+Pch ID:4A
Основные
вес, г0.0085
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
140
+
Бонус: 2.8 !
Бонусная программа
Итого: 140
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор Small-signal МОП-транзистор 2 in 1 Nch+Pch ID:4A
Основные
вес, г0.0085
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
продуктMOSFETs
размер фабричной упаковки3000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаToshiba
упаковка / блокUDFN-6
серияUMOSIX
длина2 mm
коммерческое обозначениеU-MOSVII-H / U-MOSVI
pd - рассеивание мощности2 W
количество каналов2 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияDual
id - непрерывный ток утечки4 A
qg - заряд затвора3.6 nC, 6.74 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток108 mOhms, 157 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток20 V
vgs - напряжение затвор-исток8 V, + 8 V, - 12 V, + 12 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток400 mV, 500 mV
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.12 S, 9.5 S
полярность транзистораN-Channel, P-Channel
тип транзистора1 N-Channel, 1 P-Channel
типичное время задержки выключения45 ns, 54 ns
типичное время задержки при включении25 ns, 21 ns
Высота 0.75 мм
ТипSilicon P-/N-Channel MOS
Ширина2 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль