SSM3K62TU.LF

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
МОП-транзистор LowON Res МОП-транзистор ID=.8A VDSS=20V
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature150В°C
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
190
+
Бонус: 3.8 !
Бонусная программа
Итого: 190
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор LowON Res МОП-транзистор ID=.8A VDSS=20V
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature150В°C
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case3-SMD, Flat Lead
rohs statusRoHS Compliant
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки3000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаToshiba
упаковка / блокUFM-3
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
supplier device packageUFM
seriesU-MOSVII-H ->
pd - рассеивание мощности500 mW (1/2 W)
количество каналов1 Channel
base product numberRN1104 ->
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
technologyMOSFET (Metal Oxide)
id - непрерывный ток утечки800 mA
qg - заряд затвора2 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток43 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток20 V
vgs - напряжение затвор-исток8 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток400 mV
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.3 S
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения2653 ns
типичное время задержки при включении332 ns
current - continuous drain (id) @ 25в°c800mA (Ta)
drain to source voltage (vdss)20V
drive voltage (max rds on, min rds on)1.2V, 4.5V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs2nC @ 4.5V
input capacitance (ciss) (max) @ vds177pF @ 10V
power dissipation (max)1W (Ta)
rds on (max) @ id, vgs57mOhm @ 800mA, 4.5V
vgs (max)В±8V
vgs(th) (max) @ id1V @ 1mA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль