ZXTP19060CFFTA, Bipolar Transistors - BJT PNP 60V Transistor
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: ZXTP19060CFFTA
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT PNP 60V Transistor
| Дата загрузки | 23.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 0.0488 |
| Высота | 1 mm (Max) |
| Информация о производителе | |
| Производитель | DIODES INC. |
| Бренд | DIODES INC. |
| Основные | |
| collector- base voltage vcbo | -60 V |
| collector-emitter saturation voltage | 75 mV |
| collector- emitter voltage vceo max | -60 V |
| configuration | Single |
| continuous collector current | -4 A |
| dc collector/base gain hfe min | 30 at-4 A, -2 V |
| dc current gain hfe max | 500 at-100 mA, -2 V |
| длина | 3 mm (Max) |
| emitter- base voltage vebo | -7 V |
| factory pack quantity | 3000 |
| gain bandwidth product ft | 180 MHz |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс. | 500 at - 100 mA at -2 V |
| коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 at - 4 A at - 2 V |
| конфигурация | Single |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| максимальный постоянный ток коллектора | 4 A |
| manufacturer | Diodes Incorporated |
| maximum collector base voltage | -60 V |
| maximum collector emitter voltage | 60 V |
| maximum dc collector current | -4 A |
| maximum emitter base voltage | -7 V |
| maximum operating frequency | 180 MHz |
| maximum operating temperature | +150 C |
| maximum power dissipation | 2 W |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| minimum dc current gain | 200 |
| minimum operating temperature | -55 C |
| mounting style | SMD/SMT |
| mounting type | Surface Mount |
| напряжение эмиттер-база (vebo) | 7 V |
| напряжение коллектор-база (vcbo) | 60 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 60 V |
| напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 75 mV |
| непрерывный коллекторный ток | 4 A |
| number of elements per chip | 1 |
| package / case | SOT-23F-3 |
| package type | SOT-23F |
| packaging | Cut Tape or Reel |
| партномер | 8004585585 |
| pd - power dissipation | 2000 mW |
| pd - рассеивание мощности | 2000 mW |
| pin count | 3 |
| подкатегория | Transistors |
| полярность транзистора | PNP |
| product category | Bipolar Transistors-BJT |
| product type | BJTs-Bipolar Transistors |
| произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 180 MHz |
| размер фабричной упаковки | 3000 |
| series | ZXTP19060 |
| серия | ZXTP19060 |
| subcategory | Transistors |
| тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| торговая марка | Diodes Incorporated |
| transistor configuration | Single |
| transistor polarity | PNP |
| transistor type | PNP |
| упаковка / блок | SOT-23F-3 |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| Время загрузки | 0:00:23 |
| Ширина | 1.7 м |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
