SSM3K15AMFV,L3F
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleN-канал 30 В 100 мА (Ta) 150 мВт (Ta) Поверхностный монтаж VESM
| Основные | |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting type | Surface Mount |
| operating temperature | 150В°C (TJ) |
| package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| package / case | SOT-723 |
| rohs status | RoHS Compliant |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| подкатегория | MOSFETs |
| размер фабричной упаковки | 8000 |
| тип продукта | MOSFET |
| торговая марка | Toshiba |
| упаковка / блок | SOT-723-3 |
| eccn | EAR99 |
| htsus | 8541.21.0095 |
| серия | SSM3K15 |
| supplier device package | VESM |
| длина | 1.2 mm |
| коммерческое обозначение | U-MOSIII |
| pin count | 3 |
| packaging | Tape and Reel |
| product category | Small Signal |
| series | U-MOSIII -> |
| pd - рассеивание мощности | 150 mW |
| количество каналов | 1 Channel |
| automotive | No |
| eu rohs | Compliant |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| mounting | Surface Mount |
| part status | Active |
| pcb changed | 3 |
| supplier package | VESM |
| base product number | TLP4202 -> |
| eccn (us) | EAR99 |
| maximum power dissipation (mw) | 150 |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| configuration | Single |
| hts | 8541.29.00.95 |
| package length | 1.2 |
| package width | 0.8 |
| Вес и габариты | |
| технология | Si |
| number of elements per chip | 1 |
| конфигурация | Single |
| channel type | N |
| technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| material | Si |
| id - непрерывный ток утечки | 100 mA |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 3.6 Ohms |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 800 mV |
| канальный режим | Enhancement |
| полярность транзистора | N-Channel |
| тип транзистора | 1 N-Channel |
| типичное время задержки выключения | 35 ns |
| типичное время задержки при включении | 5.5 ns |
| channel mode | Enhancement |
| maximum continuous drain current (a) | 0.1 |
| maximum drain source resistance (mohm) | 3600@4V |
| maximum drain source voltage (v) | 30 |
| maximum gate source voltage (v) | ±20 |
| typical input capacitance @ vds (pf) | 13.5@3V |
| current - continuous drain (id) @ 25в°c | 100mA (Ta) |
| drain to source voltage (vdss) | 30V |
| drive voltage (max rds on, min rds on) | 2.5V, 4V |
| fet type | N-Channel |
| input capacitance (ciss) (max) @ vds | 13.5pF @ 3V |
| power dissipation (max) | 150mW (Ta) |
| rds on (max) @ id, vgs | 3.6Ohm @ 10mA, 4V |
| vgs (max) | В±20V |
| vgs(th) (max) @ id | 1.5V @ 100ВµA |
| military | No |
| Высота | 0.5 мм |
| Ширина | 0.8 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]](/wa-data/public/shop/products/34/17/211734/images/243267/243267.300x0.jpg "NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]")
![KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]](/wa-data/public/shop/products/33/37/123733/images/155187/155187.300x0.jpg "KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]")
