Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор LowON Res МОП-транзистор ID=--0.4A VDSS=-60V

Подробное описание

Основные
вес, г	0.12
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C

110 ₽

– +

Бонус: 2.2 !

Бонусная программа

Итого: 110 ₽

Купить

Основные
вес, г	0.12
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	3000
тип продукта	MOSFET
торговая марка	Toshiba
упаковка / блок	SOT-346-3
серия	SSM3J168F
коммерческое обозначение	U-MOSVI
pd - рассеивание мощности	1.2 W
количество каналов	1 Channel
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Single
квалификация	AEC-Q101
id - непрерывный ток утечки	400 mA
qg - заряд затвора	3 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	1.3 Ohms
vds - напряжение пробоя сток-исток	60 V
vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 10 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
канальный режим	Enhancement
полярность транзистора	P-Channel
тип транзистора	1 P-Channel
типичное время задержки выключения	31.7 ns
типичное время задержки при включении	4.3 ns

Отзывов нет

Кнопки